Microsemi
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL (1N6625)
Part Number: 1N6625
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1100V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.75V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 60ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 1100V
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: A, Axial
- Исполнение корпуса: -
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 150°C
Цена по запросу