Microsemi
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B (JANTXV1N5416US)
Part Number: JANTXV1N5416US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/411
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
- Прямой ток (If) (Max): 3A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.5V @ 9A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 150ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 100V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SQ-MELF, B
- Исполнение корпуса: D-5B
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу