DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF (JANTXV1N5809US)

Part Number: JANTXV1N5809US

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: Military, MIL-PRF-19500/477
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
  • Прямой ток (If) (Max): 3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 875mV @ 4A
  • Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 30ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 100V
  • Емкость @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SQ-MELF, B
  • Исполнение корпуса: B, SQ-MELF
  • Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C

Цена по запросу