Microsemi
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF (1N5809US)
Part Number: 1N5809US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
- Прямой ток (If) (Max): 3A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 875mV @ 4A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 30ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 100V
- Емкость @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SQ-MELF, B
- Исполнение корпуса: B, SQ-MELF
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу