Microsemi
DIODE GEN PURP 100V 1A D5A (1N5804US)
Part Number: 1N5804US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 875mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 25ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 100V
- Емкость @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SQ-MELF, A
- Исполнение корпуса: D-5A
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу