IR (Infineon Technologies)
DIODE SILICON 300V 10A WAFER (SIDC24D30SIC3)
Part Number: SIDC24D30SIC3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 300V
- Прямой ток (If) (Max): 10A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 200µA @ 300V
- Емкость @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: Die
- Исполнение корпуса: Sawn on foil
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C
Цена по запросу