DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2-1 (IDH08G65C5XKSA2)

Part Number: IDH08G65C5XKSA2


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: thinQ!™
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 650V
  • Прямой ток (If) (Max): 8A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 8A
  • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 140µA @ 650V
  • Емкость @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220-2
  • Исполнение корпуса: PG-TO220-2-1
  • Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C

210 р.