IR (Infineon Technologies)
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER (SIDC23D120H8X1SA1)
Part Number: SIDC23D120H8X1SA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1200V
- Прямой ток (If) (Max): 35A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.97V @ 35A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 27µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: Die
- Исполнение корпуса: Sawn on foil
- Рабочая температура pn-прехода: -40°C ~ 175°C
Цена по запросу