DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 (GB01SLT12-252)

Part Number: GB01SLT12-252

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 1200V
  • Прямой ток (If) (Max): 1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.8V @ 1A
  • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 2µA @ 1200V
  • Емкость @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса: TO-252
  • Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C

Цена по запросу