GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 (MBR3530R)
Part Number: MBR3530R
Documents / Media: datasheets MBR3530R
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 30V
- Прямой ток (If) (Max): 35A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 680mV @ 35A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1.5mA @ 20V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Корпус: DO-203AA, DO-4, Stud
- Исполнение корпуса: DO-4
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
Цена по запросу