GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 (1N8034-GA)
Part Number: 1N8034-GA
Documents / Media: datasheets 1N8034-GA
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 650V
- Прямой ток (If) (Max): 9.4A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.34V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-257-3
- Исполнение корпуса: TO-257
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 250°C
Цена по запросу