GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC (GB02SLT12-220)
Part Number: GB02SLT12-220
Documents / Media: datasheets GB02SLT12-220
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1200V
- Прямой ток (If) (Max): 2A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.8V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220-2
- Исполнение корпуса: TO-220AC
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C
Цена по запросу