GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 (1N1206AR)
Part Number: 1N1206AR
Documents / Media: datasheets 1N1206AR
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 12A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 12A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 50V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Корпус: DO-203AA, DO-4, Stud
- Исполнение корпуса: DO-4
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 200°C
Цена по запросу