DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO (CDBJSC51200-G)

Part Number: CDBJSC51200-G


Documents / Media: datasheets CDBJSC51200-G


Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 1200V
  • Прямой ток (If) (Max): 5A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 5A
  • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 100µA @ 1200V
  • Емкость @ Vr, F: 475pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220-2
  • Исполнение корпуса: TO-220-2
  • Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C

Цена по запросу