DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO (CDBD2SC21200-G)

Part Number: CDBD2SC21200-G

Documents / Media: datasheets CDBD2SC21200-G

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 1200V
  • Прямой ток (If) (Max): 6.2A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 2A
  • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 100µA @ 1200V
  • Емкость @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса: TO-263 (D2Pak)
  • Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C

Цена по запросу