GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER (MBRT20030R)
Part Number: MBRT20030R
Documents / Media: datasheets MBRT20030R
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Тип диода: Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 30V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): 200A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 750mV @ 100A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1mA @ 20V
- Рабочая температура pn-прехода: -
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Three Tower
- Исполнение корпуса: Three Tower
Цена по запросу