GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER (MUR20010CT)
Part Number: MUR20010CT
Documents / Media: datasheets MUR20010CT
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Тип диода: Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): 200A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 75ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 25µA @ 50V
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Twin Tower
- Исполнение корпуса: Twin Tower
Цена по запросу