GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER (MURTA20020R)
Part Number: MURTA20020R
Documents / Media: datasheets MURTA20020R
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 200V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): 100A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.3V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 25µA @ 200V
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Three Tower
- Исполнение корпуса: Three Tower
Цена по запросу