GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER (MSRTA200100(A)D)
Part Number: MSRTA200100(A)D
Documents / Media: datasheets MSRTA200100(A)D
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1000V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): 200A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 200A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 1000V
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Three Tower
- Исполнение корпуса: Three Tower
Цена по запросу