GeneSiC Semiconductor
DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER (MURT10040R)
Part Number: MURT10040R
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: -
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 400V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): 100A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.35V @ 50A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 90ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 25µA @ 50V
- Рабочая температура pn-прехода: -40°C ~ 175°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Three Tower
- Исполнение корпуса: Three Tower
Цена по запросу