GeneSiC Semiconductor
DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER (MURT10060)
Part Number: MURT10060
Documents / Media: datasheets MURT10060
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: -
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): 100A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 75ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 25µA @ 50V
- Рабочая температура pn-прехода: -40°C ~ 175°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Three Tower
- Исполнение корпуса: Three Tower
Цена по запросу