Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP (DBD10G-E)
Part Number: DBD10G-E
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Box (TB)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.05V @ 500mA
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 600V
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу