GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 2A KBP (KBP208)
Part Number: KBP208
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 800V
- Прямой ток (If) (Max): 2A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 2A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 50V
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-SIP, KBP
- Исполнение корпуса: KBP
Цена по запросу