GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 2A 200V 1PH KBP (KBP203G)
Part Number: KBP203G
Documents / Media: datasheets KBP203G
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 200V
- Прямой ток (If) (Max): 2A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 2A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 200V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-SIP, KBP
- Исполнение корпуса: KBP
Цена по запросу