GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 8A KBU (KBU8B)
Part Number: KBU8B
Documents / Media: datasheets KBU8B
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 100V
- Прямой ток (If) (Max): 8A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1V @ 8A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 100V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-SIP, KBU
- Исполнение корпуса: KBU
Цена по запросу