GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 6A KBL (KBL602G)
Part Number: KBL602G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 100V
- Прямой ток (If) (Max): 6A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 6A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 100V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-SIP, KBL
- Исполнение корпуса: KBL
Цена по запросу