GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 1A DB (DB102G)
Part Number: DB102G
Documents / Media: datasheets DB102G
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 100V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 1A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 100V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
- Исполнение корпуса: DB
Цена по запросу