GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ (KBJ410G)
Part Number: KBJ410G
Documents / Media: datasheets KBJ410G
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 1kV
- Прямой ток (If) (Max): 4A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 4A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 1000V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-SIP, KBJ
- Исполнение корпуса: KBJ
1 р.