GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 10A KBU (KBU1010)
Part Number: KBU1010
Documents / Media: datasheets KBU1010
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 1kV
- Прямой ток (If) (Max): 10A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.05V @ 10A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 1000V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-SIP, KBU
- Исполнение корпуса: KBU
Цена по запросу