Comchip Technology
DIODE BRIDGE 100V 0.8A MBS (B1S-G)
Part Number: B1S-G
Documents / Media: datasheets B1S-G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 100V
- Прямой ток (If) (Max): 800mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 800mA
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 100V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-269AA, 4-BESOP
- Исполнение корпуса: MBS
Цена по запросу