Comchip Technology
BRIDGE DIODE GPP 0.8A 1000V MBM (MB10M-G)
Part Number: MB10M-G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 1kV
- Прямой ток (If) (Max): 800mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 800mA
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 1000V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-DIP (0.157", 4.00mm)
- Исполнение корпуса: MBM
Цена по запросу