Micron
«Micron Technology» Inc (Micron) (США) — крупнейший производитель микросхем и модулей памяти для вычислительных, телекоммуникационных и других приложений. Продукцию Micron отличает высокая надежность, что позволяет использовать ее в изделиях авиакосмической, индустриальной и оборонной промышленности. Ряд микросхем имеет расширенный диапазон рабочих температур (-40 С...+105 С).
Будучи лидером в области инновационных решений в области памяти, Micron помогает миру предоставляя технологии, которые преобразуют мир в использовании информации. Благодаря мировым брендам - Micron, Crucial и Ballistix - компания предлагает самый широкий портфель в отрасли. Micron является единственной компанией, производящей современные технологии хранения и хранения данных: память DRAM, NAND, NOR и 3D XPoint ™. Решения Micron призваны использовать ценность данных для раскрытия финансовой информации, ускорения научных достижений и улучшения коммуникации во всем мире.
Продукция Micron:
DRAM-микросхемы:- Объем: 16 МБ – 16 Гб;
- Uп: от 1.2 до 3.3 В;
- DDR4 - новейшее исполнение DRAM: объем: 4 Гб; частота: 2133 МГц; Uп: 1.2 В; время цикла: 0.938 нс.
- DRAM-модули:
- Объем: 32 М – 64 Гб;
- RDIMM: объем: 128 МБ – 32 Гб; Uп: 1.35 - 3.3 В; T: 0 - 95°C; эффективная скорость до 1866 MT;
- LRDIMM: тип памяти: DDR3 SDRAM; объем: 8 - 64 Гб; частота до 233 МГц; T: 0 - 95°C; эффективная скорость до 1866 MT;
- NVDIMM (Non-Volative DIMM): объем: 4 – 16 Гб; комбинирует модуль памяти SDRAM, NANDFlash, системный контроллер и ультра компактный источник бесперебойного питания.
- NAND флеш память:
- Типы памяти: SLC NAND, MLC NAND, TLC NAND, Serial NAND;
- Объем: 128 МБ – 1 ТБ.NOR флеш память:
- Типы памяти: Parallel NOR Flash, Serial NOR Flash;
- Объем: 512 кБ – 1 Гб.Память типа PCM (Phase Change Memory):
- Типы памяти: Serial PCM, Parallel PCM;
- Объем: 32 МБ – 128 МБ.
- Твердотельные накопители SSD:
- PCIe SSD: объем: 175 ГБ - 1.4 ТБ; интерфейс PCIe; скорость последовательного чтения до 3,2 ГБ/с; T: 0 - 70°C;
- 1.8 SSD, 2,5 SSD, M.2, mSATA: объем: 32 – 960 ГБ; скорость чтения до 500 Мб/c; скорость записи до 400 МБ/c; T: 0 - 70°C.