MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 (SI2371EDS-T1-GE3)
Part Number: SI2371EDS-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI2371EDS-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу