650 V 34 A CASCODE GAN FET (TP65H050WS)
Part Number: TP65H050WS
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.8V @ 700µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 400V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 119W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247-3
- Корпус: TO-247-3
Цена по запросу