MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F (RU1J002YNTCL)
Part Number: RU1J002YNTCL
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 50V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 800mV @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 26pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: UMT3F
- Корпус: SC-85
1 р.