IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II (HYB25D128800CE-6)
Part Number: HYB25D128800CE-6
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: -
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
- Скорость: 166MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: -
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 66-TSOP II
Цена по запросу