MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 (PMZB290UNE2YL)
Part Number: PMZB290UNE2YL
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 950mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 46pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DFN1006B-3
- Корпус: 3-XFDFN
1 р.