MOSFET N-CH 100V 860A SP6 (APTM10UM01FAG)
Part Number: APTM10UM01FAG
Documents / Media: datasheets APTM10UM01FAG
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 860A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 275A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 12mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2100nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 60000pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2500W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Исполнение корпуса: SP6
- Корпус: SP6
Цена по запросу