MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC (FMM110-015X2F)
Part Number: FMM110-015X2F
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 150V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 53A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 55A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V
- Мощность: 180W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: i4-Pac™-5
- Исполнение корпуса: ISOPLUS i4-PAC™
Цена по запросу