MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 (BSZ340N08NS3GATMA1)
Part Number: BSZ340N08NS3GATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 12A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 12µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 630pF @ 40V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TSDSON-8
- Корпус: 8-PowerTDFN
26 р.