MOSFET N-CH 600V 10A TO220F (GP2M010A060F)
Part Number: GP2M010A060F
Documents / Media: datasheets GP2M010A060F
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1660pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 52W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220F
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу