200 V GAN IC FET DRIVER (EPC2112ENGRT)
Part Number: EPC2112ENGRT
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация выхода: High Side
- Применение: DC-DC Converters
- Интерфейс: On/Off
- Тип нагрузки: Inductive
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Сопротивление Rds On (Номинальное): 32 mOhm
- Выходной ток на канал: 10A
- Повторяющийся импульсный ток: 40A
- Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
- Напряжение нагрузки: 4.5 V ~ 5.5 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Особенности: -
- Защита от отказов: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 10-XFBGA
- Исполнение корпуса: 10-BGA (2.9x1.1)
Цена по запросу