MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE (EPC2102ENGRT)
Part Number: EPC2102ENGRT
Documents / Media: datasheets EPC2102ENGRT
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: eGaN®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 7mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 830pF @ 30V
- Мощность: -
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: Die
- Исполнение корпуса: Die
Цена по запросу