MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO (DMN6066SSD-13)
Part Number: DMN6066SSD-13
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 502pF @ 30V
- Мощность: 1.8W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SOP
36 р.