MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC (ALD114835SCL)
Part Number: ALD114835SCL
Documents / Media: datasheets ALD114835SCL
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: EPAD®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 4 N-Channel, Matched Pair
- Особенности полевого транзистора: Depletion Mode
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 10.6V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 12mA, 3mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.45V @ 1µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2.5pF @ 5V
- Мощность: 500mW
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 16-SOIC
Цена по запросу