TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S (STGD5H60DF)

Part Number: STGD5H60DF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 600V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 10A
  • Коллекторный ток (Icm): 20A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
  • Мощность: 83W
  • Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
  • Тип входа: Standard
  • Gate Charge: 43nC
  • Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 30ns/140ns
  • Условие испытаний: 400V, 5A, 47 Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 134.5ns
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса: DPAK

46 р.