EPC
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE (EPC2014C)
Part Number: EPC2014C
Documents / Media: datasheets EPC2014C
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: eGaN®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 2mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
- Vgs (Max): +6V, -4V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 300pF @ 20V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): -
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: Die Outline (5-Solder Bar)
- Корпус: Die
Цена по запросу