Microsemi
RF POWER TRANSISTOR (SD1019)
Part Number: SD1019
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип транзистора: NPN
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 35V
- Трансформация частоты: 136MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): -
- Усиление: 4.5dB
- Мощность: 117W
- Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce: 5 @ 500mA, 5V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 9A
- Рабочая температура: 200°C
- Вид монтажа: Stud Mount
- Корпус: M130
- Исполнение корпуса: M130
Цена по запросу